首页 | 登录 | 现在注册   [2009年01月08日]
Global Sources
模拟混合信号
用户登录 首页 / 用户登录

从容应对CMOS和NGa PA冲击,GaAs仍有发展空间
作者: 王彦

由于快速的电子迁移率特别适合于高频高速信号的处理,目前大部分手机中的功放(PA)都采用GaAs来制造。不过这种材料居高不下的成本也一直为业界所诟病。最理想的办法是在12英寸晶圆上采用CMOS工艺来大规模量产这种射频前端器件,而研究人员也已在实现这一目标方面投入了大量工作,但时至今日在高频高速性能的PA领域仍然还没有其他可量产的工艺可与GaAs相媲美。

请登陆或注册网站阅读全文>>


如果您已经是以下网站的注册用户,请使用您当时的注册帐号登陆

电子工程专辑旗下网站

最新信息
eeWhitePaperNEW

免费实时下载您感兴趣的权威技术白皮书

汽车电子解决方案

当今的汽车环境要求高输入电压能力、宽工作温度范围和高效热管理。消费者的期盼以及质保期的延长要求汽车能够实现长达数年的无故障运行…

更多


订阅速递

提供您行业最新热点新闻及经典技术文章
赶快加入订阅!


热点下载Top10 PDF
•  电子工程师必备手册(三)—EMI/EMC设计秘籍
•  运算放大器设计与应用—电子工程师必备手册(下)
•  示波器基础知识一百个问答
•  硬件工程师必读攻略-如何通过仿真有效提高数模混合设计性(上)
•  D类音频放大器知识大全
•  运算放大器稳定性分析(一)
•  仪表放大器应用设计集锦
•  ADC和DAC基础(第一部分)
•  信号链基础(1):运算放大器
•  EMI与EMC浅谈

排行榜

热门文章排行榜

热门评论排行榜

返回页首