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GaAs相关的文章 |
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| 2008-02-29 | GaAs太阳能电池取得重大突破 比利时研究机构IMEC声称，利用锗基板上面的GaAs太阳能电池，使太阳能电池转化效率实现了重大突破。IMEC表示，利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池，转化率达到了24.7%的最高纪录。 |
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| 2008-02-18 | Hittite发布一系列GaAs HEMT宽带LNA产品 Hittite微波公司日前发布了一系列芯片式GaAs HEMT宽带LNA产品，涵盖了18~86GHz的频带范围。这些Hittite-Velocium LNA产品目前由Hittite公司独家供应，适用于多种应用领域，包括微波无线通信、军事和空间应用、宽带通信系统、VSAT、SATCOM、车载雷达和测试仪器。 |
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| 2008-01-29 | 新日本无线推出宽带低噪声放大器GaAs MMIC 新日本无线(New Japan Radio, NJR)已完成开发宽带低噪声增幅GaAs MMIC——NJG1131HA8，并开始样品供货。该产品最适用于内置单波段播放信号接收器的便携式终端。 |
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| 2008-01-03 | Hittite发布2.5～7GHz双平衡GaAs MESFET混频器 Hittite微波公司日前宣布发布四款用于测试和测量系统、军事无线电、商业传感器和收发器基础设施的双平衡GaAs MESFET混频器HMC557LC4和HMC558LC4，包括WiMAX和VSAT应用等固定和移动协议中的关键功能。这两款混频器均以HMC557和HMC558的芯片形式供应，并提供与其封装的同类产品相当的性能。 |
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| 2008-01-02 | Hittite发布用于WIMAX基础设施的3～7GHz无源GaAs混频器 Hittite Microwave发布两款用于频率范围为3～7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAs MESFET I/Q混频器。HMC620LC4是一个可在3～7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB LO至RF隔离度以及+22dBm稳定输入IP3性能的无源I/Q混频器/IRM。 |
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| 2007-12-31 | Hittite推出3～7GHz无源GaAs混频器 Hittite Microwave发布两款用于频率范围为3～7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAs MESFET I/Q混频器。HMC620LC4是一个可在3～7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB LO至RF隔离度以及+22dBm稳定输入IP3性能的无源I/Q混频器/IRM。 |
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| 2007-12-29 | Hittite发布3.5～7GHz GaAs低噪声放大器 为通信和军事市场提供基于MMIC的完整解决方案的全球级提供商Hittite微波公司，最近发布一款用于频率范围为3.5～7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMT GaAs MMIC低噪声放大器。 |
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| 2007-12-19 | 从容应对CMOS和NGa PA冲击，GaAs仍有发展空间 由于快速的电子迁移率特别适合于高频高速信号的处理，目前大部分手机中的功放(PA)都采用GaAs来制造。不过这种材料居高不下的成本也一直为业界所诟病。最理想的办法是在12英寸晶圆上采用CMOS工艺来大规模量产这种射频前端器件，而研究人员也已在实现这一目标方面投入了大量工作，但时至今日在高频高速性能的PA领域仍然还没有其他可量产的工艺可与GaAs相媲美。 |
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